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Brenchmark mit 512 DDR Ram

Dieses Thema im Forum "CPU, BIOS & Motherboards, RAM" wurde erstellt von YogiCar, 12. Februar 2005.

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  1. YogiCar

    YogiCar Byte

    Registriert seit:
    5. Februar 2005
    Beiträge:
    17
    hallo

    ich habe mal eine frage warum mein brenchmark runtergeht wenn ich zwei arbeitsspeicher auf mein board stecke
    zb beim aquamark 3 verliere ich gut 1000 punkte bei der CPU
    und bei dem Aida test fallen meine lese und schreibduchsätze auch ab sogar weit unter einen 3200 +
    und ich habe selber einen AMD 64 3200+
    mit einem speicher liege ich wieder über den 3200+
    ich muß dabei sagen ich habe kein dual channel board
    liegt es vielleicht da dran
    normalerweis müßten meine werte doch gleich bleiben und wenn höchsten besser werden wie mit einen speicher aber dem ist nicht so oder soll ich in Bios was anderes einstellen obwohl ich das schon mal probiert habe mit keinen so positiven ergebniss

    das ist mein board :


    Mainboard:
    Albatron K8X800 Pro

    Chipsatz:
    VIA®K8T800


    Speichersteckplätze
    DRAM Steckplatz #1 512 MB (DDR SDRAM)
    DRAM Steckplatz #2 512 MB (DDR SDRAM)

    vielleicht hat ja einer eine idee woran es liegt und ob man es verbessern kann durch irgend eine einstellung
    :jump: :confused:
     
  2. Ardy

    Ardy Halbes Megabyte

    Registriert seit:
    10. April 2004
    Beiträge:
    642
    Moin moin

    Was sind das denn genau für Riegel? Hersteller? DDR400? DDR333?
    Timings? Am besten lädste dir ma Everest Home runter und schaust alles nach. Manche Boards stellen auch den Speicher automatisch auf DDR333 wenn man zwei double-sided Rambausteine einsetzt obwohl beide DDR400 unterstützen.

    Ciao
     
  3. YogiCar

    YogiCar Byte

    Registriert seit:
    5. Februar 2005
    Beiträge:
    17
    Hier die Daten :

    Informationsliste Wert
    Arbeitsspeicher Eigenschaften
    Seriennummer Keine
    Modulgröße 512 MB (2 rows, 4 banks)
    Modulart Unbuffered
    Speicherart DDR SDRAM
    Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
    Modulbreite 64 bit
    Modulspannung SSTL 2.5
    Fehlerkorrekturmethode Keine
    Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

    Speicher Timings
    @ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

    Speichermodulbesonderheiten
    Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
    Auto-Precharge Nicht unterstützt
    Precharge All Nicht unterstützt
    Write1/Read Burst Nicht unterstützt
    Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
    Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Differential Clock Input Unterstützt
    Redundant Row Address Nicht unterstützt
     
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