Samsung- und Kingston-RAM, verschiedene Größen?!

Hallo,

wer kann helfen?
In meinem Rechner sind derzeit 2 Samsung-Module zu je 512MB (Dualchannel) verbaut. Da ich den gern etwas aufrüsten wollte, habe ich mich mit unserem expert-Shop in Verbindung gesetzt, der mir jetzt ein 1GB-Modul von Kingston bestellt hat (soll nächste Woche da sein). Den Angaben des Händlers nach, dürfte es da keine Probleme geben (die haben keinen RAM von Samsung im Angebot), allerdings bin ich mir nach etwas Recherche da nicht mehr so sicher.

Daher meine Fragen:
1.) Ist diese Kombination von den Größen her überhaupt möglich oder habe ich eventuell mit Leistungseinbußen zu rechnen?
2.) Wie komme ich an Kompatibilitätslisten für mein Board, wenn everest mir für den board-Namen nur "Unbenannt" angibt?
3.) Angenommen, alles klappt, wie funktioniert das dann mit dem Dual-Channel bei drei Speicherriegeln?
und 4.) Kann man im BIOS noch etwas aus den vorhandenen Samsung-Riegeln rausholen? (siehe unten)

Betriebssystem ist XP mit SP2. Der Rechner ist die Machine from Hell (von Ende letzten Jahres...weiß die Nummer gerade nicht).

Vielen Dank schon mal für Antworten und Hilfestellungen.

Gruß
Henrik

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Und hier meine Konfiguration (everest):

[Motherboard]
Motherboard Eigenschaften:
Motherboard ID 10/13/2005-NF-CK804-A8NSLIFM-00
Motherboard Name Unbekannt

Front Side Bus Eigenschaften:
Bustyp AMD Hammer
Tatsächlicher Takt 200 MHz
Effektiver Takt 200 MHz
HyperTransport Clock 1000 MHz

Speicherbus-Eigenschaften:
Bustyp Dual DDR SDRAM
Busbreite 128 Bit
Tatsächlicher Takt 201 MHz (DDR)
Effektiver Takt 402 MHz
Bandbreite 6432 MB/s


[ SPD ]

[ DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]
(gleiche Werte bei DIMM2)

Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Seriennummer 0301960Ch
Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt

Speichermodulhersteller:
Firmenname Samsung
Produktinformation http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm


[Chipsatz ]

[ North Bridge: nVIDIA nForce4 (CK8-04) ]

North Bridge Eigenschaften:
North Bridge nVIDIA nForce4 (CK8-04)
Revision A3
Fertigungstechnologie 0.13 um

PCI Express Controller:
PCI-E x16 port #0 Belegt @ x16 (nVIDIA GeForce 7800 GT Video Adapter)
PCI-E x1 port #1 Frei
PCI-E x1 port #2 Frei
PCI-E x2 port #3 Frei

Chipsatzhersteller:
Firmenname NVIDIA Corporation
Produktinformation http://www.nvidia.com/page/mobo.html
Treiberdownload http://www.nvidia.com/content/drivers/drivers.asp

[ North Bridge: AMD Hammer IMC ]

North Bridge Eigenschaften:
North Bridge AMD Hammer IMC
Revision 00
In-Order Queue Depth 8

Speichercontroller:
Typ Dual Channel (128 Bit)
Aktiv-Modus Dual Channel (128 Bit)

Speicher Timings:
CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 8T
Row Cycle Time (tRC) 12T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 24T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 5T
Write To Read Delay (tWTR) 2T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 7.8 us
DQS Skew Control Deaktiviert
DRAM Drive Strength Normal
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 5.5 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Aktiviert
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Deaktiviert

Fehlerkorrektur:
ECC Unterstützt, Deaktiviert
ChipKill ECC Unterstützt, Deaktiviert
RAID Nicht unterstützt
DRAM Scrub Rate Deaktiviert
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktiviert
L2 Cache Scrub Rate Deaktiviert

Speichersteckplätze:
DRAM Steckplatz #1 512 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 512 MB (PC3200 DDR SDRAM)

Chipsatzhersteller:
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/DevelopWithAMD/0,,30_2252_873,00.html
Treiberdownload http://www.amd.com/us-en/Processors/TechnicalResources/0,,30_182_871_2336,00.html

[ South Bridge: nVIDIA MCP04 ]

South Bridge Eigenschaften:
South Bridge nVIDIA MCP04
Revision A3

 

Moin!
Theoretisch dürfte es möglich sein, den RAM einzubauen, aber der DualChannelMode ist dann nicht mehr aktiv, der Rechner wird also ein wenig langsamer (5-10%).
Besser wären zusätzlich 2x512(SingleSided), idealerweise Samsung oder 2x1GB und den alten rauswerfen.

Beim Board sollte Dir evtl. FSC weiterhelfen können, "A8N SLI FM" klingt nach Asus, vielleicht wirst Du auch dort fündig - aber mit Bios-updates o.ä. wäre ich vorsichtig.

Gruß, Andreas

 

Bei aller Liebe, expert ist doch eine Ladenkette für Fernseher und Waschmaschinen, da kauft man doch keinen PC-Speicher und die Aussagen dieser "Spezialisten" würde ich auch mit Vorsicht genießen.

Ansonsten steht ja schon alles bei magiceye04, die beste Lösung für mehr Speicher ist ein Paar 1 GB Riegel, die dürfen dann auch von Kingston sein, das ist eine renomierte Firma für Speicherriegel aus Markenbauteilen.

nochmal zu den Fragen:

1. Leistungseinbußen sind garantiert, so was macht ,man einfach nicht!
2. Vergiß diese Listen, vereinbar einfach ein Rückgaberecht bei Inkompatibilität. Vom Speicherhersteller als Paar verkaufte Riegel laufen in der Regel auch in entsprechenden Marken-PCs bzw. Mainboards.
3. siehe 1. es funktioniert eben nicht!
4. Dein Speicher ist recht langsam "@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)", die erste Zahl sollte auch mit "Value"-Speicher mindestens 2,5 sein, niedriger ist hier besser. Du kannst vom Ochsen nicht mehr als Rindfleisch erwarten, also eben auch aus diesem Speicher keine besseren Werte.

 

Cl2,5 oder CL3 macht sich mit allerhächstens 1-2% Unterschied in einem Speicherbenchmark bemerkbar - in der Praxis sehr viel weniger bis gar nicht.